AMD präsentiert auf dem diesjährigen International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Francisco einen Transistor-Typ, der die bisher gebräuchlichen "planaren" Transistoren ersetzen könnte. Zusammen mit der Universität of Carlifornia in Berkley hat der Halbleiterhersteller einen so genannten Fin Field Effect Transistor (FinFET) entwickelt, der den Stromfluss mit Hilfe einer dünnen vertikalen "Flosse" kontrolliert.
Die Silizium-Flosse eines FinFET erzeugt zwei Gates auf dem Transistor anstelle von einem und soll vor allem die Schalteigenschaften verbessern. AMD erhofft sich von dem Design eine weitere Leistungssteigerung bei immer kleineren Baugrößen, wobei die bestehenden Produktionsprozesse weiter genutzt werden können. Das Unternehmen hat bereits im September einen arbeitsfähigen FinFET mit einer Gate-Länge von zehn Nanometern vorgestellt.
Daneben präsentiert AMD noch zwei Forschungsarbeiten für den Einsatz von Metallverbindungen anstelle von Polysilizium bei der Erzeugung von Transistoren. Der Chipproduzent erwartet sich von der Verwendung von Nickel bei der Erzeugung der Transistor-Gates einen geringeren elektrischen Widerstand im Transistor und geringere Herstellungskosten. Die Technologie soll ab 2005 in den Produktionsprozess einfließen. Das IEDM findet von 8. bis 11. Dezember in San Francisco statt.*(
pte)
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AMD präsentiert nächste Transistor-Generation
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