Intel will die nächste Generation seiner Prozessoren mit "strained" Silizium produzieren. Dieses "Strecken" führt dazu, dass die Atome weiter auseinanderliegen als normal und damit die Elektronen beschleunigt werden. Nach einem Bericht des US-Dienstes Cnet soll die Technologie bereits bei dem Nachfolger des Pentium 4, Codenamen Prescott, mit einer Strukturgröße von 90 Nanometer eingesetzt werden. Prescott wird voraussichtlich bereits in der zweiten Jahreshälfte 2003 auf den Markt kommen.
Mark Bohr, Direktor für Prozessarchitektur bei Intel, geht davon aus, dass durch die "Streckung" des Siliziums, der Durchfluss von Strom um zehn bis 20 Prozent verbessert wird. Die Kosten sollen dagegen nur um zwei Prozent steigen. Nach den Plänen von Intel wird der Chip zusätzlich mit einer neuen Isoliertechnologien gefertigt. Anstelle des bisher üblichen Silizium-Material zwischen den einzelnen Schichten der Transistoren wird eines aus Carbon Doped-Oxid zum Einsatz kommen. Prescott soll über sieben anstelle der bisher üblichen sechs Schichten von Transistoren verfügen.
Der Prozessor der kommenden Generation soll ausschließlich auf 300 Millimeter Wafer erzeugt werden. Die Massenfertigung wird voraussichtlich in New Mexico und Irland stattfinden. Bei der Herstellung sollen bis zu 75 Prozent der Produktionstechniken aus dem zurzeit laufenden 130-Nanometer-Prozess verwendet werden können.*(
pte)
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Intel streckt Silizium für leistungsfähigere Chips - Pentium 4-Nachfolger für 2003 geplant
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