Infineon Technologies erweitert seine Speicherfamilie der Low-Power-DRAMs um ein 256-Mbit-Mobile-RAM, das nun in Volumenstückzahlen gefertigt wird. Der neue stromsparende Speicher ist in FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)- und TSOP (Thin Small Outline Package)-Gehäusen verfügbar.
Mit den um etwa 50 Prozent reduzierten Abmessungen und der deutlich geringeren Leistungsaufnahme im Vergleich zu Standard-DRAMs und anderen Low-Power-DRAMs ist das neue Mobile-RAM von Infineon hervorragend geeignet für Handheld-Applikationen. Die Leistungsaufnahme des Mobile-RAM im Standby-Betrieb ist nur halb so groß wie bei einem konventionellen DRAM. Der stromsparende Baustein ist jetzt mit Speicherkapazitäten von 128-Mbit und 256-Mbit verfügbar und für Applikationen wie PDAs (Personal Digital Assistants), „intelligente“ Mobiltelefone, Web-Pads oder Digitalkameras ausgelegt.
Das Mobile-RAM arbeitet mit 2,5 V Core-Spannung und 1,8 V (oder 2,5 V) für die I/Os, während das konventionelle SDRAM eine 3,3-V-Versorgung benötigt. Zusätzliche spezielle Powermanagement-Funktionen wie TCSR (Temperatur Compensated Self Refresh) und PASR (Partial Array Self Refresh) tragen zur weiteren Reduzierung der Leistungsaufnahme bei. Mit PASR werden die Self-Refresh-Operationen nur für die Bereiche mit gespeicherten Daten durchgeführt. Bei TCSR ist die Refresh-Rate temperaturabhängig: je geringer die Temperatur desto weniger Refreshzyklen und desto geringer die Leistungsaufnahme.
Im Vergleich zu Standard-DRAMs in TSOP-Gehäusen wird der Platzbedarf für das Mobile-RAM mehr als halbiert, wenn das FBGA-Chip-Scale-Gehäuse mit den Abmessungen 8 mm x 12 mm genutzt wird. Das FBGA basiert auf der speziellen Board-on-Chip(BoC)-Technologie von Infineon. Dieses Verfahren kombiniert die Kostenvorteile der Leadframe-Kontaktierung mit den platzsparenden Merkmalen der Chip-Scale-Technik.
„Der neue 256-Mbit-Baustein ist bereits das zweite Speicherprodukt in unserer Mobile-RAM-Familie, der bald auch auf 512 Mbit erweitert wird,“ sagte Dr. Ernst Strasser, Marketingleiter für Grafik- und Spezial-DRAMs bei Infineon. „Das Mobile-RAM ist nur ein Beispiel für die Strategie von Infineon, zielgerichtete Produkte für den Bereich Informations- und Kommunikationstechnik anzubieten.“
Infineon hat erst kürzlich ein gemeinsames Entwicklungsprogramm mit Micron angekündigt, mit dem beide Unternehmen ein CellularRAM, ein Spezialspeicher für Mobilfunktelefone, entwickeln. CellularRAM zielt auf den Ersatz von herkömmlichen SRAMs und bietet eine Speicherlösung mit hoher Kapazität, hoher Bandbreite sowie geringer Leistungsaufnahme bei einer günstigen Kosten/Bit-Rate.
Der weltweite Markt für PDAs (Personal Digital Assistants) - das größte Marktsegment für die Mobile-RAMs - wird von der International Data Corporation (IDC) mit etwa 16 Millionen PDAs in 2002 beziffert. IDC erwartet ein durchschnittliches jährliches Wachstum um 36 Prozent auf 53 Millionen Einheiten in 2005.
Preise und Verfügbarkeit
Infineon hat mit der Auslieferung der 256-Mbit-Mobile-RAMs an Hersteller von Handheld-Geräten im 2. Quartal 2002 begonnen. Für geringe Stückzahlen wird der Preis mit 15,00 US-Dollar je Speicher angegeben, Preise für höhere Stückzahlen auf Anfrage.
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Infineon nimmt Volumenfertigung für den 256-Mbit-Mobile-RAM für Handheld-Applikationen auf
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