AMD, Infineon und UMC entwickeln gemeinsam fortschrittliche Plattform-Technologie für Chip-Produktion

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AMD , Infineon Technologies und UMC haben heute Pläne bekannt gegeben, eine einheitliche Plattform-Technologie für die hochvolumige Produktion von Logik-Chips mit Strukturgrößen von 65 nm und 45 nm auf 300-mm-Wafern gemeinsam entwickeln zu wollen. Jedes der drei Unternehmen wird Entwicklungskapazitäten und Know-how bereitstellen, um gemeinsam eine einheitliche Plattform-Technologie zu entwickeln, die von jedem Unternehmen an seine spezifischen Fertigungs- und Produkt-Anforderungen angepasst werden kann. Das Entwicklungsprogramm wird zunächst in einem UMC-Werk in Hsinchu, Taiwan, starten. Mit diesem Schritt baut Infineon die mit UMC bestehende Vereinbarung zur gemeinsamen Entwicklung von Prozesstechnik für Strukturen von 130 nm und 90 nm aus und wird gleichzeitig dem Programm von UMC und AMD zur Entwicklung von Prozesstechnik für Strukturgrößen von 65 nm und 45 nm beitreten, das bereits im Frühjahr angekündigt wurde.

„In diesem nunmehr dritten gemeinsamen Entwicklungsprogramm mit UMC verbünden wir uns mit den hochqualifizierten Teams von UMC und AMD. Während derzeit viele andere Unternehmen mit Kooperationen im Bereich der Forschung und Entwicklung nur Kostensenkungen erreichen wollen, können die drei Partner in unserem Nanometer-Entwicklungsprogramm auf eine beachtliche Vergangenheit und umfangreiche Erfahrungen mit erfolgreicher Umsetzung solch enger Kooperationen verweisen. Wir sind deshalb zuversichtlich, bald die erwarteten Vorteile zu erreichen," sagte Dr. Ulrich Schumacher, Vorstandsvorsitzender und Chief Executive Officer von Infineon Technologies. „Mit diesem gemeinsamen Entwicklungsprogramm macht Infineon erneut deutlich, dass wir großen Wert auf fokussierte Kooperationen legen, mit denen wir unsere führende Position in der Halbleiterindustrie weiter ausbauen.”

„Das heute angekündigte Entwicklungsprogramm bringt führende Unternehmen und ihre Erfahrung zusammen, um die nächsten Generationen von Halbleiter-Technologien zu entwickeln,” sagte Robert Tsao, Vorstandsvorsitzender von UMC. “Durch die Kombination von Infineons 300-mm-Kommitment und seinen herausragenden Forschungs- und Entwicklungsressourcen mit UMCs führender Prozess- und Fertigungstechnik sowie den erfahrenen Teams von AMD, nehmen wir eine hervorragende Ausgangsposition ein, um als erste Halbleiterunternehmen fortschrittliche Nanometer-Technologie auf 300-mm-Wafern liefern zu können. Zusätzlich verspricht diese Dreier-Allianz große Vorteile für Kunden, die sich frühzeitig für die Einführung der entwickelten Prozesse entscheiden.”

„AMDs gemeinsame Entwicklungsarbeit mit UMC und Infineon ist ein herausragendes Beispiel für das Kooperations-Modell, das führend für die Halbleiterindustrie im 300-mm-Zeitalter sein wird,“ sagte Hector Ruiz, Präsident und Chief Executive Officer von AMD. „Die Entwicklungsanstrengungen mit UMC und Infineon werden die Basis für AMDs 65 und 45 Nanometer-Fertigungstechnologien bilden und erlauben AMD zusätzliche Entwicklungsschwerpunkte in Prozesstechnologiebereichen zu setzen, die kritisch für unser Geschäft und unsere Kunden sind, etwa Hochleistungstransistoren und chip-interne Verbindungen (interconnects).“

Infineon und UMC bauen mit diesem wichtigen Forschungs- und Entwicklungsprogramm ihre bereits bestehende Zusammenarbeit weiter aus, zu dem unter anderem das 300-mm-Fertigungs-Joint Venture UMCi in Singapur gehört. Voraussichtlich im Januar 2003 soll UMCi für die Installation der Ausrüstung vorbereitet sein; das Hochfahren der Massenproduktion soll dann im vierten Quartal des Jahres erfolgen.