Infineon und Nanya kooperieren bei DRAM-Speicherchips

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Nach erfolgreichen Kooperationsgesprächen haben Infineon Technologies, München, und Nanya Technology Corporation, ein unverbindliches Memoradum of Understanding (MoU) über eine Zusammenarbeit bei Standard-Speicherchips (DRAMs) unterzeichnet. Im Rahmen des Abkommens werden die beiden Halbleiterhersteller ab Oktober 2002 die zukunftsweisenden 0,09-µm- und 0,07-µm-Fertigungstechnologien für 300-mm-Wafer gemeinsam entwickeln und damit die Entwicklungskosten teilen. Die Unternehmen haben zudem vereinbart, ein 50:50-Joint Venture für die Fertigung von DRAM-Chips zu gründen und ein neues gemeinsames 300-mm-Werk in Taiwan zu bauen. In der ersten Ausbaustufe soll die Fertigung im zweiten Halbjahr 2004 eine Kapazität von monatlich rund 20.000 Waferstarts erzielen, wobei die Produktion der ersten 300-mm-Wafer bereits Ende 2003 vorgesehen ist. Sitz des Joint Ventures wird Taoyuen/Taiwan in der Nähe der jetzigen Fertigung von Nanya sein. Die Transaktion bedarf noch der Zustimmung durch die Kartellbehörden.

„Mit dieser Vereinbarung erweitern wir konsequent die Kooperationen mit taiwanischen Partnern. Wir verstärken zielstrebig unsere Position in Asien und erhöhen unseren Anteil im weltweiten Markt für Speicherchips“, erläuterte Dr. Ulrich Schumacher, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG. „Nanya ist ein idealer Partner für uns, denn wir arbeiten auf gleicher technologischer Basis. Gemeinsam werden wir die künftigen Fertigungsprozesse auf Basis unserer führenden 300-mm-Technologie entwickeln und ein innovatives 300-mm-Halbleiterwerk in Taiwan errichten. Dadurch können wir unsere Technologie- und Kostenführerschaft weiter ausbauen.“

„Unsere Kooperation mit Infineon ist ein wichtiger Schritt, um die Kräfte der beiden Unternehmen bei der Entwicklung und Fertigung von DRAM-Chips in Trench-Technologie zu bündeln“, kommentierte Dr. Jih Lien, Präsident von Nanya Technologies.

Die beiden Unternehmen werden die neue 0,09-µm- und 0,07-µm-Fertigungstechnik am Infineon-Standort Dresden zusammen entwickeln und auch im neuen Gemeinschaftsunternehmen einsetzen. So wird die Produktion der 300-mm-Wafer mit dem neuen 0,09-µm-Prozess im gemeinsamen Werk in Taoyuen Ende 2003 starten. Zudem ist auch vorgesehen, die 0,09-µm-Fertigungstechnik auch für 200-mm-Wafer einzusetzen. Basis für die gemeinsame Entwicklung der künftigen Fertigungstechnik ist die hochentwickelte DRAM-Trench-Technologie für 300-mm-Wafer von Infineon, die das Unternehmen an Nanya lizensiert. Die Volumenproduktion der 300-mm-Technologie hat Infineon als weltweit erstes Unternehmen bereits Ende letzten Jahres am Referenzstandort Dresden aufgenommen. Durch den Wechsel zu den kleineren 0,09-µm- und 0,07-µm-Strukturen beim Chipaufbau kann künftig ein weiterer Produktivitätsschub realisiert werden.

Das Fertigungs-Joint Venture in Taoyuen wird in den internationalen Verbund von DRAM-Fertigungsstandorten von Infineon integriert, der aus den Produktionsstätten in Dresden, Richmond, Virginia (USA) und ProMOS Technologies, dem Joint Venture mit Mosel Vitelic in Hsinchu (Taiwan) gebildet wird. Dieses Konzept der globalen Vernetzung der Fabriken gewährleistet weltweit an allen Standorten gleich hohe Qualitätsstandards sowie einen ständigen Erfahrungsaustausch.